于ＡＬＤ／ＣＶＤ制程中作为ＧＳＴ膜的锑前驱物

摘要

本发明是一种制造锗-锑-碲合金膜的方法，该方法利用了选自原子层沉积和化学气相沉积中的一种制程，其中甲矽烷锑前驱物被用作为合金膜中锑的来源。新的甲矽烷锑化合物也被揭示。