发明名称 记忆装置及其测试方法
摘要 本发明提供一种记忆装置及其测试方法,可以侦测二记忆体阵列间的耦合错误。该记忆装置包含一记忆体阵列单元及一测试模组。该记忆体阵列单元包括一值记忆体阵列及一遮罩记忆体阵列。该测试模组耦接至该记忆体阵列单元,用以根据一测试规则来产生一测试图样讯号至该记忆体阵列单元,以执行记忆体测试。其中,该测试规则包括M个用于测试该值记忆体阵列之第一测试片段,及N个用于测试该遮罩记忆体阵列之第二测试片段,该M个第一测试片段与该N个第二测试片段在该测试规则中交错排列,M与N系为大于或等于2的整数。
申请公布号 TWI382423 申请公布日期 2013.01.11
申请号 TW097114220 申请日期 2008.04.18
申请人 瑞昱半导体股份有限公司 新竹市东区新竹科学工业园区创新二路2号 发明人 吴祥煌;李日农
分类号 G11C29/02;G11C29/12 主分类号 G11C29/02
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址 新竹市东区新竹科学工业园区创新二路2号