发明名称 |
记忆装置及其测试方法 |
摘要 |
本发明提供一种记忆装置及其测试方法,可以侦测二记忆体阵列间的耦合错误。该记忆装置包含一记忆体阵列单元及一测试模组。该记忆体阵列单元包括一值记忆体阵列及一遮罩记忆体阵列。该测试模组耦接至该记忆体阵列单元,用以根据一测试规则来产生一测试图样讯号至该记忆体阵列单元,以执行记忆体测试。其中,该测试规则包括M个用于测试该值记忆体阵列之第一测试片段,及N个用于测试该遮罩记忆体阵列之第二测试片段,该M个第一测试片段与该N个第二测试片段在该测试规则中交错排列,M与N系为大于或等于2的整数。 |
申请公布号 |
TWI382423 |
申请公布日期 |
2013.01.11 |
申请号 |
TW097114220 |
申请日期 |
2008.04.18 |
申请人 |
瑞昱半导体股份有限公司 新竹市东区新竹科学工业园区创新二路2号 |
发明人 |
吴祥煌;李日农 |
分类号 |
G11C29/02;G11C29/12 |
主分类号 |
G11C29/02 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市东区新竹科学工业园区创新二路2号 |