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<p>L'invention se rapporte à un procédé de fabrication de SiC dans lequel les émissions de gaz polluants sont minimisées, par réduction d'oxyde de silicium par un excès de carbone, ledit procédé consistant à chauffer électriquement une résistance au cœur d'un mélange de matières premières consistant en une source carbonée choisie parmi les cokes de pétrole et une source de silicium, notamment une silice de pureté supérieur à 95% en SiO , pour donner lieu, à une température supérieure à 1500°C, à la réaction simplifiée : SiO + 3C = SiC + 2CO (1), ledit procédé se caractérisant en ce que ladite source carbonée subit préalablement un traitement d'élimination de l'hydrogène contenu, de telle façon que sa teneur élémentaire en hydrogène (TEMH) soit inférieure à 2% poids.</p> |
