| 摘要 |
La présente invention se rapporte à un procédé de détermination de la qualité cristalline d'une couche de semiconducteur III-V, comprenant les étapes consistant à : a) réaliser une première gravure (102) d'une surface de la couche du semiconducteur III-V (101) pour obtenir une première surface gravée (103) dans des premières conditions de gravure, et b) réaliser une seconde gravure (104) de la première surface gravée (103) pour obtenir une seconde surface gravée (105) dans des secondes conditions de gravure, dans lequel les conditions de la première gravure (102) et les conditions de la seconde gravure (104) sont différentes. L'invention se rapporte aussi à un procédé de détermination de la qualité cristalline d'une couche de semiconducteur III-V comprenant l'étape consistant à réaliser une gravure (102) d'une surface de la couche de semiconducteur III-V (101) pour obtenir une surface gravée (103), dans lequel la gravure (102) est réalisée en utilisant un mélange d'acide chlorhydrique et d'acide phosphorique (HCI / H PO ), en particulier quand le semiconducteur III-V est l'InP.
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