METHOD FOR PRODUCING STRUCTURED SINTERING CONNECTION LAYERS AND SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A STRUCTURED SINTERING CONNECTION LAYER

摘要

Eine grundlegende Idee der Erfindung ist es, eine Sinterschichtverbindung zwischen einem Substrat (11) und einem Chip (13) herzustellen, die sowohl eine gute elektrische und thermische Anbindung zwischen dem Substrat (11) und dem Chip (13) herstellt als auch mechanische Spannungen im Chip (13) vermindert. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Sinterschicht (12), mit den Schritten des strukturiertes Aufbringens einer Vielzahl von Sinterelementen (22a, 22b, 22c) aus einem die Sinterschicht (12) ausbildenden Ausgangsmaterial auf einer Kontaktfläche (21) einer Hauptoberfläche (11a) eines Substrats (11), des Anordnens eines mit dem Substrat (11) zu verbindenden Chips (13) auf den Sinterelementen (22a, 22b, 22c), und des Erhitzens und Komprimierens der Sinterelemente (22a, 22b, 22c) zum Herstellen einer das Substrat (11) und den Chip (13) verbindenden strukturierten Sinterschicht (12), welche sich innerhalb der Kontaktfläche (21) erstreckt, wobei die Flächenbelegungsdichte der Sinterelemente (22a, 22b, 22c) auf dem Substrat (11) in einem Mittelbereich (21a) der Kontaktfläche (21)größer ist als die Flächenbelegungsdichte der Sinterelemente (22a, 22b, 22c) in einem Randbereich (21c) der Kontaktfläche (21), und wobei von jedem der Sinterelemente (22a, 22b, 22c) mindestens ein lateral zur Hauptoberfläche (11a) des Substrats (11) verlaufender Durchgangskanal (23) zum Rand der Kontaktfläche (21) besteht. Es können im Mittelbereich (21a) der Kontaktfläche (21) ein großflächiges Sinterelement (22a) und in einem Randbereich (21c) der Kontaktfläche (21) eine Vielzahl von beispielsweise kreisförmigen Sinterelementen (22c) angeordnet sein. Die Sinterelemente (22a, 22b, 22c) können auch Einkerbungen (24) aufweisen. Die Erfindung betrifft auch eine entsprechende Vorrichtung (10, 10', 10").