带有隧道结的光电子半导体本体及其制造方法

摘要

提出了一种光电子半导体本体，其具有外延的半导体层序列，该半导体层序列具有隧道结(2)和设计用于发射电磁辐射的有源层(4)。隧道结具有在n型隧道结层(21)和p型隧道结层(22)之间的中间层(23)。在一个实施形式中，该中间层具有朝着n型隧道结层的n势垒层(231)、朝着p型隧道结层的p势垒层(233)和中部层(232)。中部层的材料组分不同于n势垒层和p势垒层的材料组分。在另一实施形式中，中间层(23)可替换选地或附加地有目的地设置有损伤部位(6)。此外，还提出了一种用于制造这种光电子半导体本体的方法。

主权项

一种光电子半导体本体，具有：外延的半导体层序列，其具有隧道结(2)和设计用于发射电磁辐射的有源层(4)，其中隧道结具有在n型隧道结层(21)和p型隧道结层(22)之间的中间层(23)，并且‑该中间层具有朝着n型隧道结层的n势垒层(231)、朝着p型隧道结层的p势垒层(233)和中部层(232)，中部层的材料组分不同于n势垒层和p势垒层的材料组分，其中n势垒层(231)、中部层(232)和p势垒层(233)具有半导体材料，该半导体材料包含第一成分和第二成分，并且第一成分在中部层中的比例小于在n势垒层和p势垒层中的比例，第一成分包含铝并且第二成分包含如下元素的至少之一：In、Ga、N和P，和/或‑该中间层(23)有目的地设置有损伤部位(6)，其中损伤部位(6)至少部分由异质原子形成，异质原子作为层包含在中间层中并且异质原子的层(23b)具有开口，开口被半导体材料渗透。