半导体晶片及半导体装置以及制作半导体晶片及装置的方法

摘要

本发明提供半导体晶片、半导体装置及制作半导体晶片及装置的方法。本发明的实施例尤其适合与衬底替换应用一起使用，例如在制作垂直LED的情况下。本发明的一个实施例包括一种制作半导体装置的方法，所述方法包含：提供衬底；在所述衬底上形成多个抛光止挡件，所述多个抛光止挡件中的每一者包括陶瓷材料；在所述衬底上生长一个或一个以上缓冲层；及在所述一个或一个以上缓冲层上生长一个或一个以上外延层。另外，可执行将一个或一个以上金属层施加到所述一个或一个以上外延层、将第二衬底附加到所述一个或一个以上金属层及使用机械薄化工艺移除基底衬底的步骤。

主权项

一种半导体晶片，其包含：衬底；所述衬底上的多个抛光止挡件，所述抛光止挡件包括陶瓷材料；生长在所述衬底上的一个以上缓冲层；及所述一个以上缓冲层上的一个以上外延层，其中，所述多个抛光止挡件的硬度大于所述衬底和所述外延层的硬度，且所述一个以上外延层中的一者为具有折射率的邻近层，所述邻近层邻近于所述多个抛光止挡件，且其中所述多个抛光止挡件中的每一者具有低于所述邻近层的所述折射率的折射率。