在半导体衬底中形成接地硅通孔

摘要

一种形成中介层的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和与正面相对的背面；形成一个或多个硅通孔(TSV)，该一个或多个硅通孔从所述前表面延伸到所述半导体衬底中；形成层间介电(ILD)层，该层间介电层覆盖半导体衬底的正面和一个或多个TSV；以及在ILD层中形成互连结构，互连结构电连接半导体衬底的一个或多个TSV。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一面和与所述第一面相对的第二面；形成硅通孔TSV开口，所述硅通孔开口从所述半导体衬底的所述第一面延伸到所述半导体衬底中；在所述半导体衬底的所述第一面上并沿着所述TSV开口的侧壁和底部形成衬垫层；在位于所述开口中的所述衬垫层上方沉积第一导电材料层，从而形成TSV；在所述半导体衬底的所述第一面的上方形成层间介电ILD层；形成通孔开口，所述通孔开口从所述ILD层延伸到所述半导体衬底的一部分中；在所述ILD层中形成沟道开口，从而暴露所述TSV的一部分；以及在所述通孔和所述沟道开口中沉积第二导电材料层，从而形成互连结构，所述互连结构将所述TSV与所述半导体衬底电连接。