一种消除形貌变形的等离子刻蚀方法

摘要

本发明涉及一种刻蚀多晶硅的方法，尤其涉及一种消除形貌变形的等离子刻蚀方法。本发明一种消除形貌变形的等离子刻蚀方法通过在多晶硅栅极刻蚀之前增加一步氧化物对多晶硅栅极高选择比的刻蚀工艺，完全去除残留的抗反射涂层，使得刻蚀后的多晶硅形貌光滑完整，确保工艺和器件性能提升。

主权项

一种消除形貌变形的等离子刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：多晶硅栅极结构为在一衬底硅片上从下往上依次沉积氧化物、多晶硅栅极、无定型碳、抗反射涂层、光刻胶；步骤2：将所述多晶硅栅极结构放入反应腔；步骤3:以所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述光刻胶覆盖之外的所述抗反射涂层至所述无定型碳的上表面； 步骤4：继续以剩余的所述抗反射涂层为掩膜，刻蚀所述无定型碳至所述多晶硅栅极的上表面；步骤5：完全去除所述无定型碳表面残余的所述抗反射涂层；步骤6：继续刻蚀所述无定型碳覆盖之外的所述多晶硅栅极至所述氧化物的上表面，去除剩余的所述无定型碳。