发明名称 |
一种MOM电容制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种MOM电容制造方法,用于增大MOM电容结构的电容密度;MOM电容结构包括电容区和铜互连区;MOM电容结构经薄膜沉积后形成刻蚀阻挡层、低介电常数的介质层和金属硬掩膜层,金属硬掩膜层包括缓冲层、掩膜层和上覆层;其中,具体包括:步骤1,在缓冲层上生长一层与缓冲层同样材质的刻蚀调整层,;步骤2,定义出MOM电容所在区域的光罩;步骤3,将MOM电容所在区域的刻蚀调整层去除;步骤4,按照通用工艺进行MOM电容结构的通孔成形、金属铜填充和化学机械研磨;本发明的有益效果:通过引入刻蚀调整层,使MOM电容区的剩余介质厚度减小,从而达到提高电容密度的目的;可以通过调节刻蚀调整层的厚度和刻蚀参数来达到合适的电容密度。 |
申请公布号 |
CN102867735A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201210345798.4 |
申请日期 |
2012.09.17 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
张亮 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
竺路玲 |
主权项 |
一种MOM电容制造方法,用于增大MOM电容结构的电容密度;所述MOM电容结构包括电容区和铜互连区;所述MOM电容结构经薄膜沉积后形成刻蚀阻挡层、低介电常数的介质层和金属硬掩膜层,所述金属硬掩膜层包括缓冲层、掩膜层和上覆层;其特征在于,具体包括:步骤1,在所述缓冲层上生长一层与所述缓冲层同样材质的刻蚀调整层,;步骤2,定义出所述MOM电容所在区域的光罩;步骤3,将所述MOM电容所在区域的刻蚀调整层去除;步骤4,按照通用工艺进行所述MOM电容结构的通孔成形、金属铜填充和化学机械研磨。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |