发明名称 |
一种BN型离子门及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开一种BN型离子门及其制作方法。BN型离子门是可用于飞行时间质谱及离子迁移谱中用于控制离子的装置。该装置基于通过改变局部电场来改变离子飞行轨迹,起到偏转或阻断离子流的作用。本发明的离子门设计简单,制作快捷,性能可靠。 |
申请公布号 |
CN102867729A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201110190302.6 |
申请日期 |
2011.07.07 |
申请人 |
中国科学院大连化学物理研究所 |
发明人 |
李海洋;杜永斋;王卫国 |
分类号 |
H01J49/06(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01J49/06(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 |
代理人 |
马驰 |
主权项 |
一种BN型离子门,包括中部设有孔洞的板状基材(1)和第一金属丝组(2)和第二金属丝组(3),其特征在于:基材(1)表面在孔洞的二侧分别设有覆铜线(4),两组覆铜线(4)的一端分别设有接电小孔(6);于孔洞的上方第一金属丝组(2)和第二金属丝组(3)中的金属丝的相互交错平行基材板面排布,第一金属丝组(2)中的金属丝的一端与两组覆铜线(4)中的一组固定连接,第二金属丝组(3)中的金属丝的一端与两组覆铜线(4)中的另一组固定连接,金属丝的另一端固定在基材(1)上,两组覆铜线(4)之间相互绝缘;第一金属丝组(2)和第二金属丝组(3)于基材(1)的表面上形成交替排列、互相绝缘的等间距平行的金属丝平面。 |
地址 |
116023 辽宁省大连市中山路457号 |