电路装置的制造方法

摘要

在通过晶圆级工艺技术制造电路装置的情况下，抑制半导体衬底的弯曲。为使设于半导体衬底（50）的元件电极（52），和被薄型化前的铜板（200）所连接的突起电极（32）电连接，在以130℃以下的温度（第1温度）贴合半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）后，在将铜板（200）薄膜化为布线层的厚度的状态下，以170℃以上的高温（第2温度）压接半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）。此后，通过使薄膜化后的铜板（200）布线成形，来形成布线层（再布线）。

主权项

一种电路装置的制造方法，其特征在于，包括：准备在一个面上设有元件电极的半导体衬底，和在一个面上设有金属板、在另一个面上设有与上述元件电极对应的衬底电极的布线衬底的工序，以及将上述金属板薄膜化为布线层的厚度的工序；该电路装置的制造方法中，在准备上述布线衬底的工序后、进行上述薄膜化的工序前，具有为使上述元件电极与上述衬底电极连接而施加第1温度地贴合上述半导体衬底和上述布线衬底的第1压接工序；在上述进行薄膜化的工序后，具有施加比上述第1温度高的第2温度地压接以上述第1温度贴合后的上述半导体衬底和上述布线衬底的第2压接工序。