发明名称 |
一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法 |
摘要 |
本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法,其特征在于:采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装,硅衬底(10)上键合的硅结构层(15)采用低阻硅片,直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线(5),在硅盖帽(12)中引线通孔(13)中的电互联引线压焊区(4)上溅射铝电极(14)。本发明具有如下优点:采用全硅结构,键合后无残余应力,能够大大提高器件工作性能;利用低阻硅作为电极引线,避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏;硅硅直接键合气密性极好,大大降低了封装成本;这种方法一致性和可靠性高,工艺易于实现。 |
申请公布号 |
CN102862947A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201210346195.6 |
申请日期 |
2012.09.18 |
申请人 |
华东光电集成器件研究所 |
发明人 |
何凯旋;郭群英;陈博;王鹏;汪祖民;王文婧;黄斌;陈璞;徐栋;吕东锋 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 |
代理人 |
杨晋弘 |
主权项 |
一种MEMS器件,由硅盖帽(12)、硅结构层(15)和硅衬底(10)经硅硅直接键合后组成,硅结构层(15)中设有可动结构,其特征在于:硅结构层(15)采用可作为导体的低阻硅片,并且直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线(5)以及压焊区(4),硅盖帽(12)中设置的引线通孔(13)与压焊区(4)相对应,并在压焊区(4)上溅射铝电极(14)。 |
地址 |
233042 安徽省蚌埠市经济开发区财院路10号 |