一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法

摘要

本发明涉及电子材料制作领域，尤其是指一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其步骤包括：A：将由金属盐、粘合剂和有机溶剂形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上；B:将步骤A所述的前驱体置于马弗炉中400～800℃煅烧2～4h。本发明通过电纺丝技术制备的有源层实现低成本、大规模的纳米尺度、高性能场效应晶体管的制作。该制备方法要求的环境很宽松，不需要在手套箱等无水无氧环境下实施，简化了工艺，且制得的有机电子器件具有很强的抗水氧能力，很好地简化了有源层的制作方法，同时改善了有源层的性能，获得高性能的场效应晶体管。

主权项

一种金属氧化物薄膜场效应晶体管有源层的制备方法，其特征在于，其步骤包括：A：将粘合剂、有机溶剂和含有锌、铟、镓或锡中至少一种元素的金属盐混合形成的前驱体，利用静电纺丝技术将所述前驱体喷射至接收板上形成复合纳米纤维膜；B:将步骤A所获得的复合纳米纤维膜在400～800℃煅烧2～4h，从而获得金属氧化物薄膜场效应晶体管的有源层。