发明名称 |
一种晶体硅太阳电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶体硅太阳电池及制备方法,该晶体硅太阳电池包括pn+结硅基底,n+发射极表面有第一非晶氧化铝层和非晶氮化硅层,银电极穿过非晶氮化硅层和第一非晶氧化铝层与n+发射极连接,p型基底表面有复合钝化介质层,包括氧化硅层和第二非晶氧化铝层,p型基底与背电极接触。其制备方法包括复合钝化介质层的特殊制备,本发明采用硝酸和双氧水溶液处理p型基底表面,溶胶-凝胶工艺制备第二非晶氧化铝层,退火后形成复合钝化介质层(4)。本发明具有工艺简单,设备投资低,前表面钝化和抗反射性能好,背表面复合钝化介质层钝化效果优异并能提高长波利用效率等优点。 |
申请公布号 |
CN102122674B |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201110008571.6 |
申请日期 |
2011.01.14 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
褚君浩;窦亚楠;何悦;王建禄;马晓光 |
分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/052(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种晶体硅太阳电池,其特征在于:该电池的结构为:在pn+结硅基底(3)的n+发射极(301)表面依次有厚度为10‑20nm的第一非晶氧化铝层(2)和厚度为60‑100nm的非晶氮化硅层(1),银电极(6)穿过非晶氮化硅层(1)和第一非晶氧化铝层(2)与n+发射极(301)欧姆接触,p型基底(302)表面有复合钝化介质层(4),复合钝化介质层(4)由厚度为1.5‑3nm的氧化硅层(401)和厚度为10‑100nm的第二非晶氧化铝层(402)组成,背电极(5)穿过复合钝化介质层(4)与p型基底(302)欧姆接触。 |
地址 |
200083 上海市玉田路500号 |