一种形成磁阻存储器环状存储单元的方法

摘要

本发明一种形成磁阻存储器环状存储单元的方法，其中，包括以下工艺步骤：利用金属硅化物工艺将多晶硅圆柱体结构的外围进行金属化，然后去除金属硅化物层内径中未被金属化的多晶硅部分从而得到环状的金属硅化物硬掩膜，最后利用这种硬掩膜刻蚀磁通道结薄膜层，得到应用于磁阻存储器的具有精细尺寸的环状存储单元。通过使用本发明一种形成磁阻存储器环状存储单元的方法，有效地可以在不使用高分辨率曝光设备的条件下实现具有精细尺寸的环状磁通道结结构的制造，同时不必须采用高端的光刻机，这样做将会减少生产成本，增加产品竞争力。

主权项

一种形成磁阻存储器环状存储单元的方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：步骤一，在衬底上沉积磁通道结薄膜层，在所述磁通道结薄膜层上表面沉积多晶硅，在多晶硅上表面覆盖光阻层，所述光阻层呈圆形；步骤二，对多晶硅进行刻蚀，直至磁通道结薄膜层上表面停止刻蚀，使未被所述光阻层所覆盖的所述多晶硅部分完全被刻蚀掉，移除所述光阻层；步骤三，对所述磁通道结薄膜层上表面以及被刻蚀后的所述多晶硅外表面覆盖一层金属层，接着对所述金属层进行部分刻蚀，保留环绕所述多晶硅侧壁的金属层；步骤四，对所述多晶硅侧壁外侧的所述金属层使用退火工艺，使所述金属层向呈圆柱状的所述多晶硅中心扩散，所述金属层与向所述多晶硅中心扩散的部分形成金属硅化物层；步骤五，将未形成所述金属硅化物层的所述多晶硅刻蚀掉，从而形成环形所述金属硅化物层；步骤六，对所述金属硅化物层之下的所述磁通道结薄膜层进行刻蚀，使未被所述金属硅化物层所覆盖的所述磁通道结薄膜层刻蚀掉，所述金属硅化物层与被刻蚀后的所述磁通道结薄膜层形成环状磁通道结结构。