发明名称 |
碳化硅衬底 |
摘要 |
一种碳化硅衬底(1)包括:基础衬底(10),该基础衬底(10)具有70mm或更大的直径;和多个SiC衬底(20),该SiC衬底(20)由单晶碳化硅制成并且在平面图中观察时并排布置在基础衬底(10)上。换句话说,多个SiC衬底(20)并排布置在基础衬底(10)的主表面上并且沿着该主表面布置。此外,SiC衬底(20)中的每一个具有与基础衬底(10)相反并且相对与{0001}面具有20°或更小的偏离角的主表面(20A)。 |
申请公布号 |
CN102869816A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201180021354.9 |
申请日期 |
2011.12.19 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
堀勉;原田真;西口太郎;佐佐木信;井上博挥;藤原伸介 |
分类号 |
C30B29/36(2006.01)I;C30B33/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/36(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李兰;孙志湧 |
主权项 |
一种碳化硅衬底(1),包括:基础衬底(10),所述基础衬底(10)具有70mm或更大的直径;和多个SiC衬底(20),所述多个SiC衬底(20)每个都由单晶碳化硅制成并且在平面图中观察时并排布置在所述基础衬底上,所述SiC衬底(20)中的每一个具有与所述基础衬底(10)相反并且相对于{0001}面具有20°或更小的偏离角的主表面(20A)。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |