发明名称 |
周期性开口式申字形结构的太赫兹波吸收器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种周期性开口式申字形结构的太赫兹波吸收器。它包括信号输入端、开口式双环形金属传输层、基体、金属层结构;开口式申字形金属传输层与基体相连,开口式申字形金属传输层上包括N×N个开口式申字形金属周期单元,N为自然数,开口式申字形金属周期单元包括一个开口式申字形结构;信号从信号输入端输入,依次经过开口式申字形金属传输层、基体至金属层结构实现对太赫兹波的吸收作用。本实用新型具有结构简单、尺寸小、体积小、重量轻、节约材料、便于制作等优点。本实用新型公开了一种周期性开口式申字形结构的太赫兹波吸收器。 |
申请公布号 |
CN202662297U |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201220205250.5 |
申请日期 |
2012.05.09 |
申请人 |
中国计量学院 |
发明人 |
任荣凯;李九生;孙超 |
分类号 |
G12B17/02(2006.01)I |
主分类号 |
G12B17/02(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
张法高 |
主权项 |
一种周期性开口式申字形结构的太赫兹波吸收器,其特征在于包括信号输入端(1)、开口式申字形金属传输层(2)、基体(3)、金属层结构(4);开口式申字形金属传输层(2)与基体(3)相连,开口式申字形金属传输层(2)上包括N×N个开口式申字形金属周期单元(5),N为自然数,开口式申字形金属周期单元(5)包括一个开口式申字形结构(6);信号从信号输入端(1)输入,依次经过申字形金属传输层(2)、基体(3)至金属层结构(4)实现对太赫兹波的吸收作用。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市江干经济开发区学源街258号 |