LED外延结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种LED外延结构及其制备方法，该LED外延结构包括：衬底，衬底上由下至上依次设置有GaN成核层或AlN成核层、非故意掺杂的GaN缓冲层和n型掺杂的GaN层，n型掺杂的GaN层的表面由下至上依次生长有多量子阱发光层和p型掺杂的GaN层且三者在三维空间内均呈周期排列的凹凸结构。该制备方法包括步骤：选择一衬底并采用MOCVD方法在衬底上依次生长GaN成核层或AlN成核层、非故意掺杂的GaN缓冲层以及n型掺杂的GaN层；利用光刻和刻蚀方法在n型掺杂的GaN层的表面刻出在三维空间内呈周期排列的凹凸结构，再利用MOCVD方法在其上生长多量子阱发光层及p型掺杂的GaN层。

主权项

一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上生长有GaN成核层或AlN成核层，所述GaN成核层或AlN成核层的表面由下至上依次设置有非故意掺杂的GaN缓冲层和n型掺杂的GaN层，其特征在于，所述n型掺杂的GaN层的表面由下至上依次生长有多量子阱发光层和p型掺杂的GaN层，所述n型掺杂的GaN层的表面以及所述多量子阱发光层和所述p型掺杂的GaN层在三维空间内均呈周期排列的凹凸结构。