发明名称 |
一种被动元件之结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种被动元件之结构。此被动元件之结构包含被动元件本体、第一缓冲层与导电层堆叠于被动元件本体的第一表面上,而被动元件本体的第二表面上更可堆叠有第二缓冲层与第二导电层。其中,第一缓冲层与第二缓冲层的厚度均介于30纳米至300纳米之间,第一导电层与第二导电层的厚度均介于80纳米至1000纳米之间。亦或第一导电层与第一缓冲层的厚度比值介于0.26至33.34之间,且第二导电层与第二缓冲层的厚度比值介于0.26至33.34之间。 |
申请公布号 |
CN202662459U |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201220178398.4 |
申请日期 |
2012.04.24 |
申请人 |
钜永真空科技股份有限公司 |
发明人 |
李智渊;蔡硕文;黄耀贤;蔡俊毅 |
分类号 |
H01G4/002(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I;H01L41/047(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/002(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 |
代理人 |
杨林;金玉兰 |
主权项 |
一种被动元件之结构,其特征在于,包含:一被动元件本体,该被动元件本体具有一第一表面与一第二表面;至少一第一缓冲层,位于该被动元件本体的第一表面上,该第一缓冲层的厚度介于30纳米至300纳米之间,其中该第一缓冲层的材质为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种;以及,至少一第一导电层,位于该第一缓冲层上,该第一导电层的厚度介于80纳米至1000纳米之间,其中该第一导电层的材质为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。 |
地址 |
中国台湾台南市安定区港南里港口240-7号 |