一种PN结嵌入玻璃钝化半导体器件的制造方法

摘要

玻璃钝化二极管，单向或双向，常用深结扩散工艺，N型单晶片或P型单晶片，在其上通过掺硼或掺磷，进行高温扩散，形成较深PN结。然后进行传统的玻璃钝化(如图1)。但由于产品高压或者功率的要求，PN结很深，从而台面腐蚀深度很深，特别是对硅片厚度要求较薄的产品，碎片率难以控制，而且由于台面的深度，大大牺牲了芯片的有效面积，生产成本加大。本发明采用N型或P型单晶片，通过两次扩散，形成非常好的均匀PN结，而且台面深度浅(如图2)，芯片有效利用率高，生产成本低，并有很好抗电流能力。

主权项

一种PN结嵌入玻璃钝化半导体器件的制造方法，其特征是：在硅衬底上液态源或乳胶源或纸源进行大面积与衬底异型的杂质扩散，在一定温度下形成5‑30um的结深，然后通过光刻胶或者氧化层掩蔽，用硅腐蚀液腐蚀15‑35um的台面，再通过1150℃‑1300℃高温扩散，根据器件要求结深20‑80um不等，最后进行台面清洗，玻璃钝化以及镀金属层，划片后即形成独立的器件。