一种功率MOS器件低热阻封装结构

摘要

一种功率MOS器件低热阻封装结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明结合硅芯片倒装桥夹技术和常规TO封装技术，采用倒装散热结构，使得功率MOS器件产生的热量直接流向金属热沉，解决了功率MOS器件常规TO封装所带来的热阻过大的问题；同时桥夹技术的大面积接触除了进一步降低热阻，还可以增大电流容量，减小寄生电感。本发明提供的功率MOS器件低热阻封装结构，具有常规TO封装的外形，可以利用现有的TO封装生产线，无需添加封装设备、仅适当增加桥夹与倒装工艺相关设备的情况下封装出性能优异的功率MOS器件。经实际检测证明，本发明提供的功率MOS器件低热阻封装结构，比常规TO封装结构可使热阻下降约80％、电流容量增加约两倍，而寄身电感大大减小。

主权项

一种功率MOS器件低热阻封装结构，包括功率MOS器件、金属散热片、封装外壳，以及栅极、源极和漏极外部引脚；其特征在于：所述金属散热片表面具有薄层绝缘氧化物；薄层绝缘氧化物表面具有与功率MOS器件栅极、源极和漏极分别对应的栅极、源极和漏极金属焊盘；功率MOS器件倒装于金属散热片的薄层绝缘氧化物表面；功率MOS器件的栅极、源极和漏极分别与薄层绝缘氧化物表面的栅极、源极和漏极金属焊盘相焊接；薄层绝缘氧化物表面的栅极、源极和漏极金属焊盘分别与栅极、源极和漏极的外部引脚相连；封装外壳安装于功率MOS器件外部，实现功率MOS器件与外部环境除电气连接之外的密封隔离。