一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用

摘要

本发明公开了一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用。通过真空固相合成法可制备这类材料的多晶体粉体，通过脉冲激光沉积技术可制备这类材料的多晶体薄膜。这类半导体材料属于立方晶系，空间群，具有硫钒铜矿结构。这类材料是p型半导体，具有各向同性的优点，有较大的光吸收系数，易于合成和制备成多晶薄膜，且部分材料的价格低廉，可以用做太阳能光伏电池的吸收层材料。

主权项

1.一种硫钒铜矿结构的多晶体的薄膜的制备方法，该多晶体分子式为Cu₃MX₄，其中M＝V、Nb、Ta，X＝S、Se、Te，分子结构为立方晶系，属于空间群，为P型半导体材料，能带间隙在1.0eV～3.0eV之间；其特征在于：将硫钒铜矿结构的化合物多晶体粉末通过单轴加压成型制成片状多晶块，再将片状多晶块放入沉积室的基片上，对沉积室抽真空至10^-5Pa，维持基片温度在300～500℃范围内，最后采用脉冲激光器进行沉积，调整脉冲激光的频率为5Hz，单脉冲能量100～120mJ，镀膜时间为40分钟，获得硫钒铜矿结构的多晶体的薄膜。