一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

摘要

一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N-漂移区及P型体区，且P型硅衬底的上表面为N-漂移区及P型体区覆盖，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在N-漂移区上方设有N型缓冲层，在N型缓冲层上方设有N型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、多晶硅栅、N-漂移区、N型漏区上方设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，N型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线，其特征在于，在P型硅衬底上设有超结结构，超结结构由连接漏区及衬底方向相间分布的N型区和P型区构成。

主权项

一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底(1)，在P型硅衬底(1)上设有N‑漂移区(2)及P型体区(3)，且P型硅衬底(1)的上表面为N‑漂移区(2)及P型体区(3)覆盖，在P型体区(3)上方设有N型源区(4)、P型体接触区(5)及栅氧化层(8)，在N‑漂移区(2)上方设有N型缓冲层(13)，在N型缓冲层(13)上方设有N型漏区(12)，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅(9)，在N型源区(4)、P型体接触区(5)、多晶硅栅(9)、N‑漂移区(2)、N型漏区(12)上方设有场氧化层(6)，在N型源区(4)及P型体接触区(5)上接有穿通场氧化层(6)的第一金属引线(7)，多晶硅栅(9)接有穿通场氧化层(6)的第二金属引线(10)，N型漏区接有穿通场氧化层(6)的第三金属引线(11)，其特征在于，在P型硅衬底(1)上设有超结结构，超结结构由连接漏区及衬底方向相间分布的N型区(14)和P型区(15)构成。