半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，通过对支承SOI层的硅基板的杂质浓度进行调整，并控制在与SOI层相接的硅基板表面形成的嵌入绝缘层的厚度，可得到能够调整阈值的晶体管。

主权项

一种半导体装置，利用至少具有第一半导体区域、形成在第一半导体区域上的嵌入绝缘物层和形成在嵌入绝缘物层上的第二半导体区域的基板而形成，将所述第二半导体区域的至少一部分作为沟道区域，在其上具有栅极绝缘膜及栅电极，该半导体装置是常关闭型，其特征在于，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域是相反导电型的硅，所述第二半导体区域的杂质浓度在1017cm‑3以上，所述嵌入绝缘物层的厚度在20nm以下，根据所述嵌入绝缘物层的厚度、所述第一半导体区域的杂质浓度、所述第二半导体区域的杂质浓度中的至少一个控制所述半导体装置的阈值，所述嵌入绝缘物层的厚度与所述第二半导体区域的厚度的关系满足下式：0.56TSOI＜TBOX＜0.85TSOI，其中，TBOX表示所述嵌入绝缘物层的EOT，TSOI表示所述第二半导体区域的厚度。