金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法

摘要

本发明公开了金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，是通过一次紫外光刻的方法在半导体纳米线上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极通过所述半导体纳米线连通，与半导体纳米线呈欧姆接触；对另一对金属薄膜电极施加交流电场，金属纳米线被吸附到施加交流电场的金属薄膜电极对上，所述金属纳米线与所述半导体纳米线相交呈肖特基接触，形成金属/半导体纳米线交叉结构异质结。本发明制备方法简单易行，稳定可靠，可以应用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管或以金属纳米线作为栅极的金属-半导体场效应管在内的电子元件、光学元件中如纳米光电探测器、气体传感器、太阳能电池等。

主权项

金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法，其特征在于：将半导体纳米线(3)水平分散在覆有绝缘层(2)的硅片(1)上，通过一次紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备两对金属薄膜电极，其中一对金属薄膜电极(4)通过所述半导体纳米线(3)连通，所述金属薄膜电极(4)与半导体纳米线(3)呈欧姆接触；将分散有金属纳米线(5)的悬浮液滴在绝缘层(2)上，对另一对金属薄膜电极(6)施加交流电场，使金属纳米线(5)吸附到金属薄膜电极(6)上，所述金属纳米线(5)与所述半导体纳米线(3)相交，呈肖特基接触，形成金属/半导体纳米线交叉结构异质结；当所述半导体纳米线(3)为n型半导体时，所述两对金属薄膜电极为包括In、Ti、Ag、Al中的一种或几种，所述两对金属薄膜电极的功函低于所述半导体纳米线(3)的功函；所述金属纳米线(5)为包括Pt、Au、Ni、Cu中的一种或几种，所述金属纳米线(4)的功函大于所述半导体纳米线(3)与电子的亲和力；当所述半导体纳米线(3)为p型半导体时，所述两对金属薄膜电极为包括Pt、Au、Ni、Cu中的一种或几种，所述两对金属薄膜电极的功函大于所述半导体纳米线(3)的功函；所述金属纳米线(5)为包括In、Ti、Ag、Al中的一种或几种，所述金属纳米线(5)的功函低于所述半导体纳米线(3)与电子的亲和力。