非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器及其制造方法。该非易失性存储元件包括基底、介电层、浮置栅、源极与漏极区、沟道区以及掺杂层。基底包括为第一区与第二区，第二区的基底具有凹凸表面。介电层位于第一区的基底上，并位于第二区的基底上，覆盖于凹凸表面上。浮置栅位于第一区的介电层上并连续延伸至第二区的介电层上。源极与漏极区位于第一区的浮置栅两侧的基底之中。沟道区位于源极与漏极区之间的基底中。掺杂层位于第二区的凹凸表面上或第二区的基底中，做为控制栅。

主权项

一种非易失性存储元件，包括：基底，该基底包括第一区与第二区，该第二区的该基底具有凹凸表面；介电层，位于该第一区的该基底上，并位于该第二区的该基底上，覆盖于该凹凸表面上；浮置栅，位于该第一区的该介电层上并连续延伸至该第二区的该介电层上；源极区与漏极区，位于该第一区的该浮置栅两侧的该基底之中；沟道区位于所述源极与漏极区之间的该基底中；以及掺杂层，位于该第二区的该凹凸表面上或该基底中，做为控制栅。