发明名称 电子标签中天线信号的电压限幅系统
摘要 本实用新型公开了电子标签中天线信号的电压限幅系统,包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第五电阻、第一电容、第二电容及多个串联的P沟道增强型场效应管,多个串联的P沟道增强型场效应管与第一电容并联构成串并联线路。第二电容和第五电阻的串联支路一端与第三N沟道增强型场效应管漏极和第四N沟道增强型场效应管漏极之间的线路连接,其另一端与多个串联的P沟道增强型场效应管和第四电阻之间的线路连接。采用上述结构,在对天线实现电压限幅时不会对功率产生影响,操作方便。
申请公布号 CN202663107U 申请公布日期 2013.01.09
申请号 CN201220316416.0 申请日期 2012.07.03
申请人 成都市宏山科技有限公司 发明人 曾维亮
分类号 H02H9/04(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I 主分类号 H02H9/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 电子标签中天线信号的电压限幅系统,其特征在于:包括第一N沟道增强型场效应管(N1)、第二N沟道增强型场效应管(N2)、第三N沟道增强型场效应管(N3)、第四N沟道增强型场效应管(N4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)及多个串联的P沟道增强型场效应管,第三N沟道增强型场效应管(N3)、第四N沟道增强型场效应管(N4)及多个P沟道增强型场效应管均为二极管连接的MOS管,所述第三N沟道增强型场效应管(N3)的漏极和源极分别与第四N沟道增强型场效应管(N4)漏极和第一N沟道增强型场效应管(N1)漏极连接,第二N沟道增强型场效应管(N2)的漏极与第四N沟道增强型场效应管(N4)源极连接,第一N沟道增强型场效应管(N1)源极和第二N沟道增强型场效应管(N2)源极均接地,所述多个串联的P沟道增强型场效应管的串联支路两端分别串联第三电阻(R3)和第四电阻(R4)后与第一电容(C1)并联构成串并联线路,该串并联线路一端与第三N沟道增强型场效应管(N3)漏极和第四N沟道增强型场效应管(N4)漏极之间的线路连接,其另一端接地,所述第一N沟道增强型场效应管(N1)和第二N沟道增强型场效应管(N2) 两者的栅极均与多个串联的P沟道增强型场效应管和第四电阻(R4)之间的线路连接;所述第二电容(C2)与第五电阻(R5)串联,第二电容(C2)和第五电阻(R5)的串联支路一端与第三N沟道增强型场效应管(N3)漏极和第四N沟道增强型场效应管(N4)漏极之间的线路连接,其另一端与多个串联的P沟道增强型场效应管和第四电阻(R4)之间的线路连接。
地址 610000 四川省成都市高新区永丰路20号附2号1层