| 发明名称 | 一种多晶硅柱超结MOSFET结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种多晶硅柱超结MOSFET结构，包括重掺杂硅衬底、掺杂硅外延层，所述掺杂硅外延层设在重掺杂硅衬底上，通过淀积形成的位于掺杂硅外延层中的半绝缘柱，位于半绝缘柱上端的阱区，在阱区上部形成的离子注入区，在掺杂硅外延层上端且位于不同阱区的离子注入区之间的栅极，以及覆盖于所述栅极的金属层，所述淀积形成的半绝缘柱为掺杂的多晶硅柱。本实用新型制造工艺难度低，制造成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN202662612U | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN201220104991.4 | 申请日期 | 2012.03.20 |
| 申请人 | 宁波敏泰光电科技有限公司 | 发明人 | 冯明宪;王加坤;门洪达;李东升;张伟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 主权项 | 一种多晶硅柱超结MOSFET结构，包括重掺杂硅衬底、掺杂硅外延层，所述掺杂硅外延层设在重掺杂硅衬底上，通过淀积形成的位于掺杂硅外延层中的半绝缘柱，位于半绝缘柱上端的阱区，在阱区上部形成的离子注入区，在掺杂硅外延层上端且位于不同阱区的离子注入区之间的栅极，以及覆盖于所述栅极的金属层，其特征在于：所述半绝缘柱为掺杂的多晶硅柱。 | ||
| 地址 | 315800 浙江省宁波市北仑区新大路1069-2号C座402室 | ||