JFET及使用该JFET的微型逆变器

摘要

本实用新型公开了一种JFET及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括衬底和设在衬底上的SiC外延层，SiC外延层的上半部分为台阶状且为JFET的N型SiC沟道层，SiC外延层的下半部分为JFET的SiC漂移层，N型SiC沟道层的上部设有N型SiC欧姆接触层，衬底的下部设有漏极欧姆接触电极，N型SiC沟道层的上部设有源极欧姆接触电极，SiC漂移层的上部和N型SiC沟道层的侧壁上设有两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本实用新型设计新颖合理，实现方便，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价。

主权项

一种JFET，其特征在于：包括由N型SiC基片构成的衬底（2）和设置在所述衬底（2）上表面上的SiC外延层，所述SiC外延层的上半部分为台阶状且为所述JFET的N型SiC沟道层（3‑1），所述SiC外延层的下半部分为所述JFET的SiC漂移层（3‑2），所述N型SiC沟道层（3‑1）的上部设置有N型SiC欧姆接触层（4），所述衬底（2）的下部设置有漏极欧姆接触电极（1），所述N型SiC欧姆接触层（4）的上部设置有源极欧姆接触电极（5），所述SiC漂移层（3‑2）的一侧上部和所述N型SiC沟道层（3‑1）的一侧侧壁上设置有第一栅极肖特基接触电极（6‑1），所述SiC漂移层（3‑2）的另一侧上部和所述N型SiC沟道层（3‑1）的另一侧侧壁上设置有第二栅极肖特基接触电极（6‑2）。