发明名称 |
测试存储阵列的方法及控制装置 |
摘要 |
一种测试存储阵列的方法及控制装置,所述存储阵列中,同一列的存储单元共用一条位线,同一行的存储单元共用一条字线,每两行存储单元共用一条源线,所述测试方法包括:施加源线测试电压至与存储单元连接的所有源线;施加不为0V的位线测试电压至与存储单元连接的所有位线;施加0V电压至与存储单元连接的所有字线;经过预定测试时间后,去除施加的测试电压,读取每个存储单元的测试电流,将所述测试电流与参考电流进行比较,输出比较结果;根据所述比较结果,判断每个存储单元是否合格;其中,所述位线测试电压小于所述源线测试电压。本发明技术方案提供了一种测试存储阵列的方法及控制装置,减小了对小尺寸存储单元组成的存储阵列的测试时间。 |
申请公布号 |
CN102867544A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201210349828.9 |
申请日期 |
2012.09.19 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
杨光军;胡剑 |
分类号 |
G11C29/12(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种测试存储阵列的方法,所述存储阵列中,同一列的存储单元共用一条位线,同一行的存储单元共用一条字线,每两行存储单元共用一条源线,其特征在于,包括:施加源线测试电压至与存储单元连接的所有源线;施加不为0V的位线测试电压至与存储单元连接的所有位线;施加0V电压至与存储单元连接的所有字线;经过预定测试时间后,去除施加的测试电压,读取每个存储单元的测试电流,将所述测试电流与参考电流进行比较,输出比较结果;根据所述比较结果,判断每个存储单元是否合格;其中,所述位线测试电压小于所述源线测试电压。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |