发明名称 测试存储阵列的方法及控制装置
摘要 一种测试存储阵列的方法及控制装置,所述存储阵列中,同一列的存储单元共用一条位线,同一行的存储单元共用一条字线,每两行存储单元共用一条源线,所述测试方法包括:施加源线测试电压至与存储单元连接的所有源线;施加不为0V的位线测试电压至与存储单元连接的所有位线;施加0V电压至与存储单元连接的所有字线;经过预定测试时间后,去除施加的测试电压,读取每个存储单元的测试电流,将所述测试电流与参考电流进行比较,输出比较结果;根据所述比较结果,判断每个存储单元是否合格;其中,所述位线测试电压小于所述源线测试电压。本发明技术方案提供了一种测试存储阵列的方法及控制装置,减小了对小尺寸存储单元组成的存储阵列的测试时间。
申请公布号 CN102867544A 申请公布日期 2013.01.09
申请号 CN201210349828.9 申请日期 2012.09.19
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 杨光军;胡剑
分类号 G11C29/12(2006.01)I 主分类号 G11C29/12(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种测试存储阵列的方法,所述存储阵列中,同一列的存储单元共用一条位线,同一行的存储单元共用一条字线,每两行存储单元共用一条源线,其特征在于,包括:施加源线测试电压至与存储单元连接的所有源线;施加不为0V的位线测试电压至与存储单元连接的所有位线;施加0V电压至与存储单元连接的所有字线;经过预定测试时间后,去除施加的测试电压,读取每个存储单元的测试电流,将所述测试电流与参考电流进行比较,输出比较结果;根据所述比较结果,判断每个存储单元是否合格;其中,所述位线测试电压小于所述源线测试电压。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号