一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案

摘要

本发明涉及一种金属硬光罩结构的缺陷解决方案，尤其涉及一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案。本发明一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案通过在复合结构刻蚀后使用等离子体脱附硅片法代替传统的直流脱附硅片法，去除因刻蚀而在复合结构表面残留的电荷，解决残留电荷吸附缺陷导致金属断电的问题，提高生产质量和效率。

主权项

一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案，其特征在于，所述金属硬光罩结构为在一金属片上依次淀积第一介电层、第二介电层和一复合结构；所述复合结构分为三层，从上往下依次为第一层、第二层、第三层；所述解决方案包括以下步骤：S1：在所述复合结构上涂布第一光刻胶； S2：去除部分所述第一光刻胶至所述复合结构上，于剩余的所述第一光刻胶中形成第一金属槽结构；S3：以剩余的所述第一光刻胶为掩膜，刻蚀所述复合结构至所述第二介电层的上表面，去除剩余的所述第一光刻胶，形成通孔结构，同时所述复合结构表面残留部分电荷；S4：使用等离子体脱附硅片方法处理经过S3步骤后的所述金属硬光罩结构；S5：涂布第二光刻胶覆盖所述复合结构的上表面和所述通孔结构的内壁；S6：以所述第二光刻胶为掩膜，刻蚀部分所述第二介电层，去除剩余的所述第二光刻胶，形成第一金属槽；以剩余的所述复合结构的第一层为掩膜，继续依次刻蚀剩余的所述第二介电层和所述第一介电层至所述金属片的上表面，去除剩余的所述复合结构的第一层，形成第一通孔。