一种二氧化锡电极的制备方法

摘要

本发明属于陶瓷技术领域。所提出二氧化锡电极制备方法的具体步骤为：将二氧化锡粉体、氢氧化铜或碳酸铜粉体和金属锑粉体按100∶0.2～1.5∶0.05～1.0的质量比放入聚氨酯罐中球磨湿混均匀；将混合均匀泥浆干燥、过筛，装入橡皮套模具中利用冷等静压成型；坯体后放入二硅化钼电阻炉中，抽真空通入纯度在98％以上的氧气至0.1～0.2MPa压力后通电加热至1450～1500℃并保温3～10小时。本发明制备工艺简单，掺杂少，所获得二氧化锡电极致密度高、常温电阻率低。

主权项

一种二氧化锡电极的制备方法，所述制备方法的具体步骤为：1)以二氧化锡粉体、烧结助剂、降电阻材料为原料，原料要求：二氧化锡粉体粒度≤10μm，纯度≥98％；将二氧化锡粉体、烧结助剂和降电阻材料按100∶0.2～1.5∶0.05～1.0的质量比称取并放入聚氨酯罐中球磨湿混，混料球、料、水质量比为3～2∶1∶1，球磨10～24小时；2)将步骤1)混合均匀的泥浆于130～150℃下干燥、过筛后，装入橡皮套模具中利用冷等静压在150～200MPa的压力下成型；3)将步骤2)得到的成型坯体放入二硅化钼电阻炉中，抽真空至‑0.08MPa以下，通入气体至压力为0.1～0.2MPa，后通电加热至1450～1500℃保温3～10小时，得二氧化锡电极；其特征在于：所述烧结助剂为氢氧化铜或碳酸铜粉体，氢氧化铜或碳酸铜粉体粒度≤10μm，纯度≥98％；所述降电阻材料为金属锑粉体，金属锑粉体粒度≤5μm，纯度≥98％；在所述步骤3)中，所通入的气体为纯度98％以上的氧气。