| 发明名称 | 含有V族金属的前体及其对含有金属的膜的沉积的应用 | ||
| 摘要 | 通式(Ia)或通式(Ib)的化合物。这些新的前体适用于纯金属、金属氧化物、氧氮化合物、氮化物和/或硅化物膜沉积以制备电极和/或高k值层，和/或铜扩散阻挡层层，等等。<img file="d2007800398286a00011.GIF" wi="685" he="1102" /> | ||
| 申请公布号 | CN101528759B | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN200780039828.6 | 申请日期 | 2007.10.19 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;科学研究国家中心 | 发明人 | N·布拉斯科;S·达尼埃尔;N·梅尔;C·迪萨拉 |
| 分类号 | C07F17/00(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I | 主分类号 | C07F17/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1.至少一种通式(Ia)或通式(Ib)的化合物的用途，作为金属前体，用于向基材上沉积含有V族金属的膜的方法中，<img file="FSB00000897846500011.GIF" wi="1124" he="1369" />所述方法包括如下步骤：-将基材放入反应器，-优选将基材加热至高于150℃，-将通式(Ia)或(Ib)的化合物或所述化合物的混合物以蒸气相供入反应器，-任选地将通式(Ia)或(Ib)的第二化合物或所述化合物的第二混合物以蒸气相供料入反应器，-在所述基材上沉积含有至少一种上述通式(Ia)或(Ib)的化合物的膜；在通式(Ia)和(Ib)中，M为选自钽、铌和钒的V族金属，R<sub>1</sub>，R<sub>2</sub>，R<sub>3</sub>，R<sub>4</sub>，R<sub>5</sub>，R<sub>6</sub>和R<sub>7</sub>可为相同或不同，独立选自氢原子、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基；R’<sub>1</sub>，R’<sub>2</sub>，R’<sub>3</sub>和R’<sub>4</sub>可为相同或不同，独立选自氢原子、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基；或者，R’<sub>1</sub>，R’<sub>2</sub>可为相同或不同，独立选自氢原子、具有1-4个碳原子的直链或支化的烷基；并且R’<sub>3</sub>和R’<sub>4</sub>一起代表氧基＝O或者具有1-4个碳原子的烷基亚氨基＝N-R。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||