| 发明名称 | 多流向元胞集成的LDMOS功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种LDMOS功率器件，包括：半导体基底；多边形状的LDMOS阳极元胞和多边形状的LDMOS阴极元胞，其中，所述阳极元胞和阴极元胞交错排列于所述半导体基底之中；位于所述阳极元胞和阴极元胞之间的漂移区；将所有LDMOS阳极元胞连接得到的正极，以及将所有LDMOS阴极元胞连接得到的负极。本发明公开的上述方案，通过在器件的阳极元胞和阴极元胞之间形成多流形式的电流，电流产生的功率耗散分布更加均匀，从而使器件具有更好的散热性能，提高了其可靠性与稳定性。此外，本发明公开的上述方案，使得采用多边形元胞集成结构的多流向元胞集成LDMOS功率器件具有更高的集成度以及更小的栅电阻Rg。 | ||
| 申请公布号 | CN102867826A | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN201110187985.X | 申请日期 | 2011.07.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 姜一波;杜寰 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 郑瑜生 |
| 主权项 | 一种LDMOS功率器件，其特征在于，包括：半导体基底；多边形状的LDMOS阳极元胞和多边形状的LDMOS阴极元胞，其中，所述阳极元胞和阴极元胞交错排列于所述半导体基底之中；位于所述阳极元胞和阴极元胞之间的漂移区；将所有LDMOS阳极元胞连接得到的正极，以及将所有LDMOS阴极元胞连接得到的负极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||