| 发明名称 | 具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的名称是“具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件”。描述了一种半导体器件，其包括栅电介质和包含铝化物的金属栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102867850A | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN201210362131.5 | 申请日期 | 2005.07.08 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M.多茨;J.卡瓦里罗斯;M.梅茨;J.布拉斯克;S.达塔;R.曹 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：高k栅电介质，所述高k栅电介质包括从由氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽以及铌酸铅锌构成的组中选择的材料；金属栅电极，其形成在栅电介质上，其包括具有成分MxAly的铝化物，其中M是过渡金属；形成在铝化物上的填充金属；以及PMOS金属栅电极，其布置在所述高k栅电介质上，所述PMOS金属栅电极不包括铝化物。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||