发明名称 |
一种制备具有金字塔结构的Fe薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备具有金字塔结构的Fe薄膜的方法。该方法包括:步骤(1):选择高纯金属铁靶(纯度99.99%)作为溅射靶材,将靶材放入磁控溅射室;步骤(2):对该单晶硅衬底依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗,将处理后的单晶硅衬底放入磁控溅射室样品台;步骤(3):工作气体是氩气,调节溅射气压、励磁电流、溅射电流以及样品台的旋转速率,经过一定的时间溅射制备Fe薄膜。本发明在没有施加直流偏置电压的条件下,通过适当控制溅射氩气气压、励磁电流、溅射电流等条件,在单晶硅基片上制备出具有金字塔结构的Fe薄膜。本发明在单晶硅片上制备金字塔结构的Fe薄膜,制造过程简单,有广阔的产业化前景。 |
申请公布号 |
CN102864414A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201210397968.3 |
申请日期 |
2012.10.18 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
陈敏;陈弟虎;何振辉;莫康信 |
分类号 |
C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/14(2006.01)I |
代理机构 |
广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 |
代理人 |
张玲春 |
主权项 |
一种制备具有金字塔结构的Fe薄膜的方法,其特征在于:采用磁控溅射设备,在单晶硅基片上制备出具有金字塔形貌的Fe薄膜,具体包括以下步骤:步骤(1):靶材选取选择高纯金属铁靶(纯度99.99%)作为溅射靶材,将靶材放入磁控溅射室;步骤(2):衬底处理选择单面抛光单晶硅片为生长基片;对该单晶硅衬底依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗,将处理后的单晶硅衬底放入磁控溅射室样品台;步骤(3):制备Fe薄膜磁控溅射室的真空度小于等于3×10‑4Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、励磁电流、溅射电流以及样品台的旋转速率,经过一定的时间溅射制备Fe薄膜。 |
地址 |
510275 广东省广州市海珠区新港西路135号中山大学,物理科学与工程技术学院 |