| 发明名称 | 碳/隧穿-势垒/碳二极管 | ||
| 摘要 | 公开了碳/隧穿-势垒/碳二极管和其形成方法。可以使用碳/隧穿-势垒/碳作为存储器阵列中的操纵元件。存储器阵列中的每个存储器单元可以包括可逆电阻率-切换元件和作为操纵元件的碳/隧穿-势垒/碳二极管。隧穿-势垒可以包括半导体或绝缘体。因此，该二极管可以是碳/半导体/碳二极管。二极管中的半导体可以是本征或掺杂的。当该二极管处于均衡状况下时，该半导体可以被耗尽。例如，该半导体可以被高度掺杂，以便耗尽区从半导体区域的一端延伸到另一端。该二极管可以是碳/绝缘体/碳二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN102870246A | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN201080063987.1 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | A.班德约帕德亚伊;F.克鲁普尔;A.米尼亚;肖立 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种二极管，包括：第一区，主要包括元素碳(242)；第二区，主要包括元素碳(246)；以及第三区，包括提供第一区和第二区之间的隧穿‑势垒的至少一种材料(244)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||