发明名称 |
相移光掩模制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种相移光掩模制作方法。在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上,通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构;在第一光刻胶上涂布硅烷化材料以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构,加热使硅烷化材料与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜,通过加热蒸发去除多余的硅烷化材料;在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶;进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构;通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。 |
申请公布号 |
CN102866574A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201210388946.0 |
申请日期 |
2012.10.12 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
毛智彪 |
分类号 |
G03F1/32(2012.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/32(2012.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种相移光掩模制作方法,其特征在于包括:第一步骤:在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上,通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构;第二步骤:通过硅烷化材料固化第一光刻胶中第一版图图形结构,加热使硅烷化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜;第三步骤:在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶;第四步骤:进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构;第五步骤:通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |