发明名称 一种新型无底板功率模块
摘要 本发明公开了一种新型无底板功率模块,包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线和外壳。绝缘栅双极型晶体管芯片与二极管芯片回流焊接在绝缘基板导电铜层上,功率端子和功率圆柱接插配合,功率圆柱直接焊接在绝缘基板上。绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间、绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与绝缘基板相应的导电层之间通过铝线键合来实现电气连接。
申请公布号 CN102054826B 申请公布日期 2013.01.09
申请号 CN201010530420.2 申请日期 2010.11.04
申请人 嘉兴斯达微电子有限公司 发明人 姚礼军
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 沈志良
主权项 一种新型无底板功率模块,包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、绝缘基板、功率端子、功率圆柱、铝线和外壳,绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片和功率圆柱通过回流焊接焊接在绝缘基板导电铜层上;绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间通过铝线键合来实现电气连接,绝缘栅双极型晶体管芯片与绝缘基板相应的导电层之间通过铝线键合来实现电气连接,二极管芯片与绝缘基板相应的导电层之间通过铝线键合来实现电气连接,其特征在于功率端子和功率圆柱接插配合,功率圆柱直接焊接在绝缘基板上。
地址 314000 浙江省嘉兴市南湖区中环南路斯达路18号