发明名称 |
磁记录介质制造方法、磁记录介质和信息存储装置 |
摘要 |
通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括:基板,形成在所述基板上的多个磁性点,以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构,在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层,并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构,所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成,并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。 |
申请公布号 |
CN102105933B |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN200980128574.4 |
申请日期 |
2009.07.16 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
佐藤贤治;田中努;西桥勉;森田正;渡边一弘 |
分类号 |
G11B5/84(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I;G11B5/673(2006.01)I;G11B5/855(2006.01)I;H01F10/16(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;H01F41/30(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;王凯 |
主权项 |
一种磁记录介质的制造方法,该制造方法包括以下步骤:人工格子形成步骤,在基板上交替地层叠多种类型的原子层而形成具有人工格子结构的磁性膜;以及点间分隔步骤,将离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个部位以外的其它部位中而降低饱和磁化强度,由此在该磁性点之间形成饱和磁化强度比该磁性点的饱和磁化强度小的点间分隔带,其中所述磁性点分别以磁的方式记录信息,其中,所述人工格子形成步骤通过交替地层叠Co原子层和铂族金属原子层来形成所述具有人工格子结构的磁性膜,并且所述Co原子层各具有2nm以下的厚度,其中,所述点间分隔步骤使用氧离子和氮离子中的至少一方作为所述离子。 |
地址 |
日本神奈川县 |