发明名称 一种具有多孔结构的双大马士革结构
摘要 本发明提供的一种具有多孔结构的双大马士革结构,包括从下到上依次形成的金属互连层、刻蚀阻挡层、氧化物层、第一介电绝缘层、第二介电绝缘层、金属层和孔,所述孔设于所述金属互连层和金属层之间,所述第一介电绝缘层的介电常数为2.7~3.0,所述第二介电绝缘层的介电常数为2.1~2.3。本发明用介电常数比较高的第一介电绝缘层代替与孔同高度的一部分低介电常数的第二介电绝缘层来降低孔的锥形效应,从而消除双孔的孔高降低和削尖问题。本发明的结构简单,制作方便,成本较低,可以很方便的改善锥形孔的现象。
申请公布号 CN102867810A 申请公布日期 2013.01.09
申请号 CN201210343547.2 申请日期 2012.09.17
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 黄君;张瑜;黄海
分类号 H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L23/522(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 竺路玲
主权项 一种具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,包括从下到上依次形成的金属互连层、刻蚀阻挡层、氧化物层、第一介电绝缘层、第二介电绝缘层、金属层和孔,所述孔设于所述金属互连层和金属层之间,所述第一介电绝缘层的介电常数为2.7~3.0,所述第二介电绝缘层的介电常数为2.1~2.3。
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号