| 发明名称 | 生长于波长转换衬底上的发光器件 | ||
| 摘要 | 在本发明的一些实施例中，器件包括衬底和半导体结构。衬底包括：波长转换元件（30），波长转换元件（30）包括设置于透明材料中的波长转换材料；包括III-氮化物材料将在其上成核的材料的种子层（34）；以及设置于波长转换元件和种子层之间的接合层（32）。半导体结构包括设置于n型区域和p型区域之间的III-氮化物发光层并生长于种子层上。 | ||
| 申请公布号 | CN102870238A | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN201180022799.9 | 申请日期 | 2011.04.08 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | N.F.加德纳;A.J.F.达维达;O.B.施彻金 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/50(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 初媛媛;汪扬 |
| 主权项 | 一种器件，包括：衬底，包括： 包括设置于透明材料中的波长转换材料的波长转换元件； 种子层，包括III‑氮化物材料将在其上成核的材料；以及 设置于所述波长转换元件和所述种子层之间的接合层；以及在所述种子层上生长的半导体结构，所述半导体结构包括设置于n型区域和p型区域之间的III‑氮化物发光层。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||