| 发明名称 | 疏水性修饰的聚胺污垢抑制剂 | ||
| 摘要 | 用于处理工业加工流体中的污垢(scale)的疏水性修饰的含Si聚胺。优选的疏水性修饰的含Si聚胺在对难以处理的工业加工流体，例如Bayer氧化铝加工流体、核废物流体和牛皮纸磨坊流出流体中的铝硅酸盐污垢进行处理时特别有用。 | ||
| 申请公布号 | CN101522571B | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN200780038199.5 | 申请日期 | 2007.09.26 |
| 申请人 | 氰特技术公司 | 发明人 | 霍华德·I·海特纳;唐纳德·P·斯皮策 |
| 分类号 | C08G73/02(2006.01)I;C02F5/00(2006.01)I;C02F5/12(2006.01)I;C23F14/02(2006.01)I | 主分类号 | C08G73/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 1.包含式(I)的重复单元和式(II)的重复单元的聚合物：<img file="FSB00000879740000011.GIF" wi="1437" he="603" />其中：T和E分别独立地为第一可选地取代的包含2至40个碳的烃基；Q为包含1至20个碳的第二烃基；A<sup>1</sup>和A<sup>2</sup>分别独立地为直接的键或包含1至20个碳的有机连接基团；R”＝H，可选地取代的C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基，可选地取代的C<sub>6</sub>-C<sub>12</sub>芳基，可选地取代的C<sub>7</sub>-C<sub>20</sub>芳烷基，可选地取代的C<sub>2</sub>-C<sub>20</sub>烯基，I族金属离子，II族金属离子，或NR<sup>1</sup><sub>4</sub>，其中每个R<sup>1</sup>独立地选自H，可选地取代的C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>烷基，可选地取代的C<sub>6</sub>-C<sub>12</sub>芳基，可选地取代的C<sub>7</sub>-C<sub>20</sub>芳烷基，和可选地取代的C<sub>2</sub>-C<sub>20</sub>烯基；以及该聚合物具有至少500的平均分子量；一个条件是Q不包含Si(OR”)<sub>3</sub>基团；一个条件是A<sup>2</sup>不是未取代的-C(＝O)-烷基。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||