发明名称 高频RFID标签电路及芯片
摘要 本发明公开了一种高频RFID标签电路及芯片,包括一个天线,所述天线两端各通过一个ESD模块连接到一个电压钳位电路模块和一个整流器模块,所述电压钳位电路模块和所述整流器模块并联连接,所述整流器模块的输出同时提供给所述电压钳位电路模块和后续的模拟及数字电路模块,所述电压钳位电路模块根据所述整流器的电压输出控制天线两端的电压值不超过一个预设值。本发明采用电压钳位电路模块使整流器上的高压可以通过并行的支路放掉,而在低磁场强度时该电压钳位电路模块不起作用,这样只需常规器件就可完成RFID标签的芯片设计和制造,避免开发用于RFID整流器的高压器件,节省了光刻板的层数,极大地降低了RFID的制造成本和芯片的长期可靠性。
申请公布号 CN101989330B 申请公布日期 2013.01.09
申请号 CN200910057735.7 申请日期 2009.08.07
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 朱红卫;郭璐
分类号 G06K19/077(2006.01)I 主分类号 G06K19/077(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 顾继光
主权项 一种高频RFID标签电路,其特征在于,包括一个天线,所述天线两端各通过一个ESD模块连接到一个电压钳位电路和一个整流器模块,所述电压钳位电路和所述整流器模块并联连接,所述整流器模块的输出同时提供给所述电压钳位电路和后续的模拟及数字电路模块,所述电压钳位电路根据所述整流器的电压输出控制天线两端的电压值不超过一个预设值;所述电压钳位电路中,从整流器输出与地之间依次串联有N型场效应管M1、M2、M4、M5以及一个电阻R1,所述N型场效应管M1、M2、M4、M5的栅极都与其各自的漏极相连接,前一个N型场效应管的源极与后一个N型场效应管的漏极相连接,所述N型场效应管M1的漏极连接整流器的输出,N型场效应管M5的源极连接电阻R1的一端,N型场效应管M6的栅极和漏极都连接到N型场效应管M1的源极,N型场效应管M7的栅极连接N型场效应管M2的源极,N型场效应管M7的源极连接N型场效应管M5的源极,N型场效应管M6的源极连接N型场效应管M7的漏极以及N型场效应管M3的栅极,N型场效应管M3的源极接地,所述天线两端之间还串联连接有两个N型场效应管M8和M9,所述N型场效应管M8的栅极和漏极都接到所述天线的一端,所述N型场效应管M9的栅极和漏极都接到所述天线的另一端,所述N型场效应管M8和M9的源极都连接到所述N型场效应管M3的漏极。
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号