发明名称 |
多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
一种太阳能电池技术领域的多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法,该多晶硅纳米线太阳能电池包括:由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极,透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法,采用多晶硅纳米线阵列作为太阳能电池的吸收层,并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜,在常温常压下,制备大面积多晶硅纳米线,制备得到的多晶硅纳米线太阳能电池,提高了太阳能电池光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN102227002B |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201110143760.4 |
申请日期 |
2011.05.31 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
王庆康;万霞;王阳培华;李翔;胡克想 |
分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王毓理 |
主权项 |
一种多晶硅纳米线太阳能电池,其特征在于,通过伽伐尼置换方法在常温常压下制备得到,该多晶硅纳米线太阳能电池包括:由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极,其中:透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |