发明名称 |
鳍式场效晶体管 |
摘要 |
本发明涉及一种鳍式场效晶体管。该鳍式场效晶体管包含:基板、鳍式结构、栅极结构、外延层以及通道。基板包含晶状半导体物质,并包含具有第一晶面方向的顶层表面。鳍式结构包含晶状半导体物质,覆盖于基板上。栅极结构覆盖于该鳍式结构的一部份。外延层覆盖于鳍式结构的另一部份,外延层包含具有第二晶面方向的表面。外延层以及其下的鳍式结构包含通过栅极结构隔离的漏极区以及源极区。通道定义于鳍式结构中,自源极区延伸至漏极区,并与基板的顶层表面以及外延层的表面沿平行方向对齐。 |
申请公布号 |
CN102157555B |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201010206805.3 |
申请日期 |
2010.06.17 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林宪信;郭紫微;苏建彰 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种鳍式场效晶体管,包含:一基板,包含一晶状半导体物质,并包含一顶层表面,该顶层表面具有一第一晶面方向;包含该晶状半导体物质的一鳍式结构,覆盖于该基板上;一栅极结构,覆盖于该鳍式结构的一部份;一外延层,覆盖于该鳍式结构的一另一部份,该外延层包含一表面,该表面具有一第二晶面方向;其中该外延层以及该外延层下的该鳍式结构包含一漏极区以及一源极区,该漏极区以及该源极区通过该栅极结构隔离;以及一通道,定义于该鳍式结构中,自该源极区延伸至该漏极区,并与该基板的顶层表面以及该外延层的表面沿一平行方向对齐,其中第一晶面方向为(001),第二晶面方向为(110),与该外延层的表面平行的通道是对齐于<110>的方向。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 |