发明名称 半导体器件
摘要 本实用新型提供一种半导体器件,能够有效地制造多种高品质的半导体器件。半导体器件(1)具有散热部件(10);包含形成在散热部件(10)上的电路图案(21)和包含树脂的绝缘层(22)的布线层(20);包含安装在布线层(20)上的电子元件和对其进行封装的封装树脂的半导体元件(30、40)。不需要半导体元件(30、40)安装后的封装工序。此外,通过变更形成的电路图案(21)和所使用的半导体元件(30、40),能够有效地获得各种功能的半导体器件(1)。
申请公布号 CN202662593U 申请公布日期 2013.01.09
申请号 CN201120282649.9 申请日期 2011.08.01
申请人 富士电机株式会社 发明人 小山正晃;望月英司;小林孝;小林英登
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种半导体器件,其特征在于,包括:散热部件;形成于所述散热部件的一个主面上、包括导体层和绝缘层的布线层;与所述导体层连接的外部导出端子;和以树脂密封半导体芯片而形成的半导体元件,其中,在从所述绝缘层露出的导体层安装有多个所述半导体元件。
地址 日本川崎市