一种横向高压功率半导体器件的结终端结构

摘要

一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短，使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离，间隔部分以P型衬底代替，相当于引入P型衬底的附加电荷，使得原来的P-well区与N型漂移区构成的pn结处的电场峰值降低，同时在P型衬底与N型漂移区构成的pn结处引入新的电场峰值，而且增大了曲率终端的曲率半径，避免电力线的过于集中，提高器件的击穿电压。其中N型漂移区表面还可与表面RESURF结构或超结结构相结合。本发明可以减小器件曲率终端的宽度，节约器件版图面积，并且与CMOS工艺相兼容，利用本发明可制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的横向高压功率器件。

主权项

一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述直线结终端结构与横向高压功率半导体器件有源区结构相同，包括漏极N+接触区（1）、N型漂移区（2）、P型衬底（3）、栅极多晶硅（4）、栅氧化层（5）、P‑well区（6）、源极N+接触区（7）、源极P+接触区（8）；P‑well区（6）与N型漂移区（2）位于P型衬底（3）的上层，其中P‑well区（6）位于中间，两边是N型漂移区（2），且P‑well区（6）与N型漂移区（2）相连；N型漂移区（2）中远离P‑well区（6）的两侧是漏极N+接触区（1），P‑well区（6）的上层具有与金属化源极相连的源极N+接触区（7）和源极P+接触区（8），其中源极P+接触区（8）位于中间，源极N+接触区（7）位于源极P+接触区（8）两侧；源极N+接触区（7）与N型漂移区（2）之间的P‑well区（6）表面是栅氧化层（5），栅氧化层（5）的表面是栅极多晶硅（4）；所述曲率结终端结构包括漏极N+接触区（1）、N型漂移区（2）、P型衬底（3）、栅极多晶硅（4）、栅氧化层（5）、P‑well区（6）、源极P+接触区（8）；P‑well区（6）表面是栅氧化层（5），栅氧化层（5）的表面是栅极多晶硅（4）；曲率结终端结构中的N+接触区（1）、N型漂移区（2）、栅极多晶硅（4）和栅氧化层（5）分别与直线结终端结构中的N+接触区（1）、N型漂移区（2）、栅极多晶硅（4）和栅氧化层（5）相连并形成环形结构；其中，曲率结终端结构中的环形N+接触区（1）包围环形N型漂移区（2），曲率结终端结构中的环形N型漂移区（2）包围环形栅极多晶硅（4）和环形栅氧化层（5）；与“直线结终端结构中的P‑well区（6）与N型漂移区（2）相连”不同的是，曲率结终端结构中的P‑well区（6）与N型漂移区（2）不相连且相互间距为LP。