用于集成电路器件的增强散热的凸出TSV尖端

摘要

本发明涉及一种集成电路器件（100），其包括具有顶面的衬底（110），该顶面包括衬底焊盘（112）；以及包括半导体衬底（105）的贯穿衬底通孔（115）芯片，半导体衬底（105）包括具有有源电路的顶部半导体表面（106）和底表面（106）。顶部半导体表面（107）包括在衬底顶表面上耦合到衬底焊盘的结合连接器（109）。多个贯穿衬底通孔（TSV）包括从顶侧半导体表面延伸到凸出TSV尖端（121）的内部金属芯（125），该TSV尖端（121）从底表面向外延伸。多个TSV的至少一个是伪TSV（120），伪TSV（120）具有其凸出TSV尖端，该凸出TSV尖端没有到其上的任何电气连接，并且提供另外表面积从而增强从TSV芯片的底侧散热。

主权项

一种集成电路器件，包含：第一衬底，所述第一衬底具有包括衬底焊盘的顶表面；第二衬底，所述第二衬底具有包括电路的第一和第二表面；结合连接器，所述结合连接器在所述第一表面上并耦合到所述衬底焊盘，以及多个贯穿通孔，每个通孔都包含从所述第一表面通过所述第二衬底延伸到所述第二表面的金属芯，并具有从所述第二表面向外凸出的尖端；所述多个通孔包括在各自焊盘和所述电路之间提供电气连接路径的有源通孔和提供散热路径的伪通孔。